全球33家SiC制造商进展概览

作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅（SiC）与硅（Si）相比，拥有更加优异的物理和化学特性，使得SiC器件能降低能耗20%以上，减少体积和重量30%~50%，可满足中低压、高压、超高压功率器件制备要求。SiC器件可广泛应用于电动汽车、轨道交通、智能电网、通信雷达和航空航天等领域。

当前全球碳化硅（SiC）市场，8英寸晶圆无疑成为最热门话题之一。TrendForce认为，从6英寸升级到8英寸SiC基板，虽然工艺成本增加，但带来的芯片产量提升却十分显著。8英寸晶圆可产出芯片数量约为6英寸SiC晶圆的1.8倍，因此8英寸晶圆转型是降低SiC器件成本的可行途径。

近年来，受新能源汽车、光伏储能充电等产业快速发展的带动，SiC功率器件市场规模逐年扩大，并将保持高速增长。TrendForce最新发布的《2024年全球SiC功率器件市场分析报告》显示，SiC正在汽车、可再生能源等应用市场加速渗透，而这些应用市场对功率密度和效率至关重要。

未来几年整体市场需求将保持增长势头，预计2028年全球SiC功率器件市场规模将达到91.7亿美元(约合648亿人民币)。

随着SiC在各应用场景规模化应用带来的规模效应，降低成本对于厂商乃至整个产业来说都将变得越来越重要。8英寸SiC正是为降本增效而设计的。在此背景下，SiC产业链上下游厂商，包括材料（衬底/外延）、芯片/模组、设备厂商等均将目光聚焦在8英寸SiC上，带动该领域快速发展。

中国选手挑战国际巨头

作为SiC产业链的上游源头，材料性能和良率决定了中游器件和下游应用能否满足市场需求，因此国内外多家SiC厂商正在加速在8英寸SiC材料领域的研发和布局。

一些国际厂商在SiC领域拥有先发优势，在向8英寸转型中快速迈进，目前Wolfspeed、ROHM、Coherent、Soitec、住友金属、Resonac、NGK Insulators等国际厂商均在8英寸SiC衬底/外延方面取得了积极进展。

我国SiC产业起步较晚，与国际先进水平仍有差距，但在新能源汽车、光伏储能充电、轨道交通、工业等终端应用需求的拉动下，我国SiC厂商正加速追赶国际巨头，尤其在衬底/外延领域，本土企业已与国际知名厂商展开正面竞争。

设备：国际巨头接近商业化，中国厂商加速追赶

在器件领域，中国厂商普遍落后于国际同行，目前意法半导体、英飞凌、安森美等厂商正在加速商业化进程，而部分中国厂商也在加紧追赶。

中国厂商在8英寸SiC设备领域进展顺利，在Aixtron等国际厂商持续拿单、交付的同时，中国SiC设备厂商在技术研发和市场拓展上不断取得突破。

8英寸大规模应用仍需时间

从材料角度来看，国内外已有多家SiC厂商成功量产8英寸衬底，部分厂商甚至具备量产能力或小批量出货，看似8英寸时代已经到来，但事实并非如此。

TrendForce的研究数据显示，目前8英寸产品的市场份额不足2%，预计到2027年将增长到20%左右。这意味着8英寸SiC产品仍需要时间才能获得市场和用户的认可，并逐渐取代6英寸产品成为新的行业标准。

目前，中国本土SiC衬底厂商已经具备优秀的6英寸产品量产水平，还在与欧美IDM大厂共同开发8英寸SiC技术，例如，天科合达、天岳与英飞凌合作，由天科合达、天岳提供6英寸SiC衬底材料给英飞凌进行晶圆加工，后续将共同向8英寸SiC晶圆技术过渡；三安光电与意法半导体达成合作，在重庆合资建8英寸SiC晶圆厂。

中国电动车市场的庞大需求给SiC供应链提供了足够的增长空间，也给国际大厂造成了不小的压力。由于中国企业产能大幅扩张，SiC衬底价格的下滑速度远超过市场扩张速度。业内人士表示，中国6英寸SiC晶圆代工价格，已降至每片1200~1800美元，比两年前每片4000美元左右的价格大幅下降。

2023年，全球SiC衬底供应量为170万片，天科合达当年产能估计达16万片6英寸晶圆，今年开始生产8英寸SiC晶圆。山东天岳计划到2026年，产能将达到30万片6英寸晶圆。

2023年初，6英寸SiC衬底价格还在1000美元左右，现在只有500多美元。