明年DRAM市场， 冰火两重天

根据研调机构TrendForce预估，2025年DRAM产业将形成高带宽存储器（HBM）与传统DRAM，两种截然不同价格走势，前者是各季缓涨，后者各季缓跌。

全球云端服务供应商（CSP）及大企业积极投资生成式AI，使得三星、SK海力士及美光等三大DRAM大厂，纷纷将研发与生产重心转向HBM，也影响了传统DRAM产能及价格。

TrendForce预期，2025年DRAM产业产值年增36.3％、位元出货量年增24.7％、平均单价年增17.0％，三者皆呈双位数成长。

就DRAM总体供需而言，2024年第四季到2025年第一季，呈现短暂供过于求后，至2025年第二季后，随著客户开始备货，将转为供不应求，主要动能来自HBM。

HBM在DRAM市场的渗透率将逐步提升，预估2025年第四季度时，HBM渗透率约达10％。

2025年DRAM产值年增36.3％至1,247.16亿美元，主要受惠HBM渗透率提升，HBM3E颗粒预计占2025年HBM的85％。

2025年DRAM平均售价年增率达17.0％；不过，DRAM平均售价上扬的动力，仅来自HBM产品，传统DRAM平均售价，预估从第一季至第四季，皆呈现个位数字缓跌，其中，DDR5价格走势，较DDR4价格波动小。

DRAM前三大厂正在积极备战HBM市场，2025年将加快产线升级至1b奈米，主要供应HBM3E；2026 年将再往1c奈米迈进，主要供应最新产品HBM4。前三大厂在HBM3E的供应进度，将直接影响其对DDR5产品的供应能力，也将直接影响DDR5的价格走势。

至于DDR3、DDR4等成熟产品价格走势，则与消费性产品终端销售、供应链库存去化更直接相关。市场法人分析，若消费性市场需求好转，2025年下半年成熟型存储器行情，或有翻转可能，但上半年应仍呈现供过于求的状况。

据悉，在全球DRAM内存市场上，竞争日益激烈，技术壁垒不断加剧。当前，中国企业在DRAM领域的状况堪忧，虽然市场份额不足1%，但正在采取价格策略来挑战垄断者。根据近期的报道，中国的DRAM制造商计划通过大幅降价来扩大市场份额，尤其是在DDR4内存的生产上，降幅达到惊人的50%。

这意味着，原本由三星、SK海力士和美光制造的相同规格DDR4芯片，转向中国制造商的产品，更具性价比。这种情况不仅使中国厂商获得了新的客户，还引发了外资企业的紧张气氛，韩企也开始调整生产策略，逐渐减少DDR4的产量，转向更高端的DDR5和HBM产品。

然而，从中国消费电子市场来看，DDR4内存自2014年问世以来，凭借其稳定的性能、广泛的兼容性和相对亲民的价格，迅速成为了市场上的主流选择。其工作电压为1.2V，数据传输率可达1600-3200 MT/s，最大DIMM容量可达64GB，这些特性使得DDR4在性能、能效和成本之间取得了良好的平衡。

尤其是在当前DDR4内存价格普遍杀价的情况下，其性价比优势更加凸显。对于大多数日常办公、游戏娱乐和常规多任务处理的用户来说，DDR4内存已经完全能够满足需求，且无需承担高昂的升级成本。

相比之下，DDR5内存作为新一代内存技术，确实带来了诸多改进。其工作电压降低至1.1V，数据传输率提升至3200-6400 MT/s，最大DIMM容量更是高达128GB。这些提升使得DDR5在带宽、功耗和内存容量方面均优于DDR4，为处理大型数据集、运行复杂软件和进行多任务处理提供了更高的效率。然而DDR5内存也并非没有局限性，首先其价格目前仍然较高，对于预算有限的普通玩家来说，升级成本可能是一个不小的负担。

其次DDR5内存需要兼容的主板和CPU支持，这意味着用户在进行升级时可能还需要更换其他硬件，进一步增加了升级成本和时间成本。

从当前的市场售价来看，DDR4内存的价格已经降至历史低位，而DDR5内存的价格虽然有所下降，但仍然明显高于DDR4。

对于普通玩家来说，如果当前的DDR4内存已经能够满足使用需求，那么升级DDR5内存所带来的性能提升可能并不显著，而升级成本却相对较高。因此，从性价比的角度出发，普通玩家在当前阶段将DDR4内存升级为DDR5内存的必要性并不大。

因此，在国际厂商瞄准DDR5与HBM的同时，DDR4在中国大陆市场，或许还有不小的发展空间。