2025年HBM出货量将同比增长70%

12月25日，TechInsights发布2025年存储器市场展望，存储器市场包括DRAM和NAND，预计在2025年将实现显著增长，这主要得益于人工智能（AI）及相关技术的加速采用。

随着AI的兴起，特别是在机器学习和深度学习等数据密集型应用中，对高带宽内存（HBM）的需求空前高涨。预计2025年HBM出货量将同比增长70%，因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处理低延迟的大量数据。HBM需求的激增预计将重塑DRAM市场，制造商将优先生产HBM，而不是传统的DRAM产品。

另外，TechInsights还预测，受AI应用激增的推动，2025年内存市场的资本支出（capex）越来越多地流向DRAM，特别是HBM。随着制造商扩大产能以满足日益增长的需求，DRAM资本支出预计将同比增长近20%。然而，这一转变导致对NAND生产的投资极少，可能在市场上造成潜在的供应瓶颈。NAND领域的盈利能力持续改善，这可能会在2026年重新点燃该领域的投资热情。

HBM市场三足鼎立：SK海力士、美光和三星电子

当前，HBM市场格局三分天下。有数据统计，SK海力士占据超过50%的市场份额，三星约占40%，美光市占率或不足10%。若以现阶段主流产品HBM3产品来看，SK海力士于HBM3市场比重超过9成，三星与美光紧追在后。

SK海力士领导地位是相对稳固的。今年3月，SK海力士开始量产HBM3E，并向英伟达供货。5月，SK海力士HBM3E的生产时间缩短了50%，目标良率接近80%。近日，SK海力士又拿下了博通HBM订单，出货预计于2025年下半年开始。坐拥英伟达和博通两大客户，SK海力士HBM3E的业绩根本不用愁。

今年2月，美光开始量产HBM3E，并拿下了英伟达H200的订单。与SK海力士和三星电子相比，美光切入HBM领域的时间较晚，并选择跳过HBM3直接进行HBM3E的开发。

而三星电子的HBM3E则尚未通过英伟达验证。早在2023年10月，三星电子就开始向英伟达供应HBM3E内存的质量测试样品，但一年多的时间内认证流程并未取得明显进展，12月更是有消息称其HBM3E未通过英伟达资格测试，无法进入英伟达的供应链。具体原因可能是在发热和功耗等重要性能参数方面未能达到英伟达的要求。

在制程工艺方面，美光和SK海力士的HBM3E均采用1-β制程，领先于三星的1-α制程。2020年，美光公布了 1-α制程节点，并与2021年开始量产。2022年，美光率先推出1-β制程，与1-α相比，该节点可实现约15%的能效提升和35%以上的内存bit密度提升。2023年，三星电子和SK海力士都随后跟进了1-β节点。但即使是同一制程节点，美光与其它两家的效果也不一样，进入1-y制程节点以后美光的收缩因子（shrink factor）也低于同业，反映出美光在微缩程度上的领先。这也是美光较晚进入HBM3E领域却能后来者居上的原因。

在产能方面，根据市场预期，在相对乐观的情况下，2024 年HBM的需求端有望提升至512MGB，同比增长80%。因此，我们看到SK海力士、美光、三星电子都在积极提升产能。根据三家公司的产能规划，到2024年年末，SK海力士每月HBM产能有望提升至123K，美光每月HBM产能有望提升至20K，三星电子每月HBM产能有望提升至130K。