英伟达GB300 NVL72 DrMOS成本降低35-40%，AOS成关键供应商

天风证券分析师郭明錤发布博文称英伟达正加速开发 GB300 NV72，并预计将提前备货DrMOS/SPS，2025年采购量或将超过 1.5 亿颗。其中，万国半导体有限公司已确定为GB300 NVL72 DrMOS主要供应商（占比约为 70%），预计将在2025年第2季度出货5000-6000 万颗 DrMOS，远超市场普遍预期。

GB300 NVL72是一款专为数据中心和高性能计算应用设计的服务器级GPU，凭借Ultra架构的加持，全新GB300单卡性能较前代提升了整整1.5倍，HBM显存容量也从192GB跃升至288GB。更值得关注的是，B300芯片的功率提升至1400W，而NVL72机柜在能耗控制上却能保持不变，让单位算力的能耗降低了33%。不仅如此，从CX7到CX8的网络接口卡升级以及光模块将从800G提升到1.6T。

在最新发布的实际测试中，NVL72机柜在电源设计方面进行了重大革新。机柜内部配备了8组PSU（电源模块），外部加上2组PSU和1组BBU（备用电池单元），使得单柜的电源组件总数达到了10组。而对比前一代NVL36，后者的电源配置仅为36组，从数量到性能的提升，NVL72机柜的电源系统价值量显然得到了提升。

电路设计上，GB300引入了创新的GPU插槽设计，采用相对传统的贴片焊接(SMT)而言的插座（socket）方式，提高了计算板的良率，要求的同时也给PCBA（印刷电路板组件）的制造增添了新的挑战，尤其是在高速与高密度钻孔等要求上。

前文提到的DrMOS技术是电源管理中的一项关键创新。传统的电源管理设计中，栅极驱动器和功率 MOSFET 是分开的独立组件。而 DrMOS 将这两个关键部分集成到一个封装内，通过优化内部布线和热设计，减少了组件之间的寄生电感和电阻。当接收到来自 PWM（脉冲宽度调制）控制器的信号时，集成在 DrMOS 中的栅极驱动器会快速响应，精确地控制功率 MOSFET 的开关动作，实现对电源电压和电流的高效调节。

由于减少了组件间的寄生参数， DrMOS 降低了开关损耗和传导损耗，提高了电源转换效率，有助于降低系统功耗，减少能源浪费。集成化设计使得 DrMOS 占用的 PCB（印刷电路板）面积大幅减小，在有限的空间内可以实现更高的功率输出。DrMOS 封装通常采用了优化的散热设计，能够更有效地将热量散发出去，保证了在高负载工作条件下的稳定性和可靠性。对于电源设计工程师来说，使用 DrMOS 可以减少外部组件的数量和布线复杂度，缩短设计周期，降低设计难度和成本。

据悉，为了降低GB300 NVL72 成本，英伟达采用了与显卡同等级的 5x5 DrMOS（也称为 SPS）。与 GB200的主要区别在于更低的电流规格、移除过电流限制（Over Current Limit；OCL）以及更低的成本。而这一改变使得GB300 NVL72 每机柜的DrMOS用量增加了约 30%，但DrMOS单价降低了约 50%，最终让总 DrMOS 成本降低约 35-40%。

目前，DrMOS 的主要供应商是万国半导体，供应比重为 70%，第二供应商是芯原系统。为确保万国半导体能够在需求强劲的情况下也能顺利交货，英伟达会提前下单。

除此之外，GB300 NVL72 OCL 完全由控制器（controller）负责，目前与 AOS DrMOS 搭配的控制器先由芯原系统供应，预计在2025年第二季度出货约120万颗。由于规格升级，GB300 NVL72每机柜的控制器用量较GB200增加了约60%。

值得注意的是，芯原系统是英伟达在GB200项目中新增的供应商，此前独供电压调节器。而这次万国半导体供应GB300 NVL72 DrMOS，标志着万国半导体正式进入英伟达的AI服务器供应链，并有望在2025年第二季度结束亏损状态。

针对GB200 NVL72出货量，外界有低于预期的担忧。此前，DeepSeek的横空出世，证明了以低成本也可以提供高性能人工智能结束，有报道称，这一突破戳破了围绕英伟 GPU 技术构建的 AI 基础设施投资“泡沫”，通过优化软件，先进的AI服务可以在性能较低的芯片上运行，而无需英伟达越来越昂贵的高规格GPU。

AWS、微软和Meta等主要公司预计今年将大力投资 AI 基础设施，其中AWS2025年的资本支出将增加到1000亿美元，微软2025财年将在AI数据中心方面开支800亿美元，Meta 2025年预计全年资本支出将600亿美元至650亿美元之间。知情人士透露，这三家公司有意在一些数据中心采用 DeepSeek-R1 以降低成本，这对英伟达来说无疑是个坏消息。