内存市场逆风渐退，DRAM和NAND Flash第二季起有望逐步回稳

2025 年第一季度，内存市场正处于微妙的变革节点，曾经持续的景气下行态势有望迎来终结的曙光。内存市场主要包括 DRAM 和 NAND Flash 这两大领域，当前两者都呈现出各自独特的发展态势和前景。

DRAM 市场的变革与机遇

在 DRAM 方面，市场正经历着多方面的变化。为了应对价格持续下跌的困境，DRAM 原厂采取了减产策略，这也是市场调整的重要一环。近期，DRAM 现货市场也出现了一些积极的迹象，部分颗粒价格开始小幅度回升，跌势较之前明显趋缓。

全球三大 DRAM 厂商三星、SK 海力士、美光的决策对市场影响重大。近期有消息称它们将停止生产 DDR4，这一举措使得台系供应商南亚科技、华邦电子受益显著，直接反映在两家内存厂商股价的上扬上。从市场研究机构的报告来看，由于低价货源供应的减少，部分容量颗粒报价有了小幅回升。尽管低价区域依旧吸引着部分买家成交，然而整体现货价格尚不具备全面涨价的动力，市场交易氛围还是以观望为主，但跌幅目前已逐渐收窄，这为市场的企稳奠定了一定基础。

日本媒体的报道进一步证实了三星等厂商停止生产 DDR4 对市场的影响。市场研究机构 Omdia 预计，DRAM 价格下跌趋势将持续至 2025 年下半年。PC、服务器及移动 DRAM 价格预计持续下跌至第三季度，上半年约下跌 10%，下半年约下跌 5%，DDR4、DDR5 产品价格均呈下跌态势。三星、SK 海力士和美光甚至可能在 2025 年内停产 DDR3 与 DDR4，最快夏季后可能出现供应短缺，届时订单很可能转向中国台湾的内存厂商，这将进一步改变市场的竞争格局。

目前，三星、SK 海力士、美光等全球三大 DRAM 厂商计划减产普通 DRAM，将产能转移至热度持续的 HBM 产品。这一战略调整旨在避免 DRAM 价格继续下滑，适应市场对高性能内存的需求。南亚科技在发布会上也强调，2025 年 DRAM 供给会增加，但新增产能将以提高 HBM 与 DDR5 占比为主，常规 DRAM 产品则持续进行库存清理。从市场需求来看，AI 服务器及普通服务器需求持续正向增长，手机厂商库存目前也逐步恢复正常水平，这为 2025 年上半年供需平衡的改善提供了利好因素。消费类电子终端产品因区域经济可能受政策性刺激方案影响而改善，消费需求有望从 2025 年第二季度起摆脱疲软、开始复苏。

NAND Flash 市场的挑战与转机

与 DRAM 市场不同，NAND Flash 市场在 2025 年第一季度仍面临着严峻的挑战，最突出的问题就是供过于求。TrendForce 调查显示，市场价格持续下滑，供应商正面临着亏损局面。不过，展望下半年，NAND Flash 市场供需结构有望显著改善。

原厂减产是推动市场改善的重要因素之一。自 2023 年起，各 NAND Flash 原厂深刻认识到供给过剩对于产业的严重冲击，特别是 NAND Flash 需求年增长率从 30%大幅降至 10 - 15%。因此，2025 年初，各原厂均采取更为坚决的减产措施，缩减全年投产规模，期望有效降低供应比特增长率，这有助于快速减轻市场的供需失衡压力，从而为价格反弹奠定基础。

智能手机库存去化也是关键因素。自 2024 年第四季度起，中国政府持续推出的以旧换新补贴政策有效刺激了智能手机销量，加速了 NAND Flash 库存去化。随着市场价格跌势放缓，智能手机品牌厂商有望在 2025 年第二季度扩大低价库存采购，带动需求增长。此外，AI 及 DeepSeek 效应也将推动 NAND Flash 需求增长，这些因素共同作用，将缓解供过于求的局面，预计下半年 NAND Flash 价格将出现回升。

内存市场的整体展望

综观 2025 年的内存市场，DRAM 和 NAND Flash 虽面临不同问题，但都在积极调整并寻找复苏的契机。DRAM 市场通过减产、产能转移等措施，以及市场需求的逐渐改善，有望在谷底企稳并逐步回升。NAND Flash 市场则凭借原厂减产、库存去化和新兴需求的推动，在下半年实现供需结构的改善和价格的回升。内存市场正处于从困境到复苏的过渡阶段，未来的发展充满机遇与挑战，各厂商需要紧密关注市场动态，灵活调整策略，以适应市场的变化，在竞争中取得优势。