量产在即，SK海力士1c nm DRAM良率突破80%

据报道，SK海力士第六代10纳米级（1c nm）DRAM内存工艺良率已提升至约80%，较去年下半年的60%显著优化。业界普遍认为，DRAM良率达80%-90%即可投入量产，这意味着该技术即将满足大规模生产条件。

去年8月，SK海力士率先研发出基于1c nm制程的DDR5 DRAM，其生产率、速度和能效均优于前代技术。该工艺还将应用于LPDDR6、GDDR7等产品。不过，在高带宽内存（HBM）领域，SK海力士短期内仍将沿用成熟的1b nm工艺，今年量产的HBM4内存暂不升级至第六代制程。

此前，SK海力士在2024第四季度财报会议上宣布，已确保10纳米级第6代（1c） DRAM的生产能力，并表示：“我们计划从今年下半年开始量产并应用于通用DRAM。我们在开发阶段已经超过了最初的量产良率目标，我们相信，随着产能增加，将有可能大幅降低成本，1c DRAM将应用于HBM4E，以保持市场领先地位。”

三星电子1c nm DRAM进度延迟

2025年初，有报道称三星电子的1c nm DRAM制程开发进度出现延迟。原本计划在2024年12月将1c nm制程DRAM的良率提升至70%，达到结束开发工作、进入量产阶段所需的水平，但实际情况是，尽管三星在2023年末成功制得 1c nm DRAM 的良品晶粒，整体良率却无法满足要求。据市场人士透露，三星计划在未来六个月内将良率提升至约 70%。

三星上代1b nm内存于2022年10月完成开发、2023年5月量产，若按新计划，1c DRAM开发结束时间定于2025年中，量产则可能延后到2025年底，两代DRAM工艺间的间隔会来到约2.5 年，这明显长于1.5年的业界一般开发周期。

1c nm DRAM本身的推迟不仅影响了三星电子核心产品DDR5内存的量产时间，也波及了高带宽存储器（HBM）的开发，因为HBM4的开发高度依赖1c nm DRAM技术。三星此前计划在2025年内量产基于 1c nm DRAM和4nm逻辑芯片的HBM4，以领先制程赢得竞争优势，此次延迟无疑将影响HBM4的整个市场布局。

2025年2月，有报道称三星电子针对1c nm制程DRAM内存进行了设计调整，以期更快实现良率提升。

此前，三星电子为1c nm内存设定了更为严格的线宽要求，目的是增加存储密度，提升单位晶圆的位元产出，进而建立相较竞争对手的成本优势。不过更低的线宽也意味着对工艺稳定性的要求更高，这对三星造成了良率方面的压力。知情人士透露，三星电子在 2024 年底对 1c nm DRAM的设计进行了更改：核心电路线宽保持不变，外围电路线宽的要求则被放松，目的是尽快让 1c nm 的良率上升至支持大规律量产的水平

美光1γ DRAM 业内首家出货

根据美光官方消息，其在2月26日宣布已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代CPU设计的1γ（1-gamma）第六代（10纳米级）DRAM节点DDR5内存样品。

据悉，美光1γ DRAM节点将首先应用于其16Gb DDR5 DRAM产品，并计划逐步整合至美光内存产品组合中，以满足AI产业对高性能、高能效内存解决方案日益增长的需求。该款16Gb DDR5产品的数据传输速率可达9200MT/s，与前代产品相比，速率提升高达15%，功耗降低超过20%。

美光16Gb DDR5芯片的数据传输速率达到了9200 MT/s，远高于最新版DDR5规范中的任何规格。美光强调，这些芯片能够以符合JEDEC标准的速度运行，并且更高的速度等级将为未来的产品提供一定的前瞻性，并与下一代CPU兼容。

美光1γ DRAM节点的创新得益于CMOS技术的进步，包括下一代高K金属栅极技术，它提升了晶体管性能，实现了更高的速率、更优化的设计以及更小的特征尺寸，从而带来功耗降低和性能扩展的双重优势。此外，通过采EUV光刻技术，1γ节点利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征，从而获得了业界领先的容量密度优势。

1γ节点作为未来产品的基石，将被全面整合到美光的内存产品组合中。其中，基于1γ的DDR5内存解决方案为数据中心提供高达15%的性能提升，增强能效，并支持服务器性能的持续扩展，使数据中心能够在未来的机架级功耗和散热设计中实现优化。

1γ低功耗DRAM解決方案可提供更高的能效及带宽，提升端侧AI解决方案的用户体验。在AI PC中，1γ DDR5 SODIMMs可提升性能并降低20%的功耗，从而延长续航，优化笔记本电脑的用户体验；在移动设备，1γ LPDDR5X 可提供卓越的AI体验，延续美光在移动设备领域的领先地位；在汽车领域，基于1γ的LPDDR5X内存可提升容量、耐用性和性能，同时传输速率高达9600MT/s。

值得注意的是，美光的1γ DRAM目前主要在其日本工厂生产，该工厂于2024年安装了美光的首套EUV设备。随着产能扩大，美光计划在日本和中国台湾的工厂增加更多EUV设备。