中微公司2024年营收超90亿元，研发投入同比增加约94%

中微公司发布2024年度财务报告，数据显示，2024年该公司实现营收90.65亿元，同比增长44.73%；实现归母净利润16.16亿元，同比减少9.53%。其中，2024年刻蚀设备销售约72.77亿元，同比增长约54.72%，MOCVD设备销售约3.79亿元，同比下降约18.03%，LPCVD设备2024年实现首台销售，全年设备销售约1.56亿元。

在研发投入方面，2024年公司研发投入约24.52亿元，较去年增长11.90亿元，同比增长约94.31%，研发投入占公司营业收入比例约为27.05%。

值得关注的是，2024年中微公司在中国大陆的营收约为86亿元，中国台湾地区营收约为3.15亿元，其它国家和地区营收为1.42亿元。

报告称，中微公司2024年归母净利润减少主要受三个方面影响，一是公司虽然营业收入增长44.73%，但毛利较去年增长约9.78亿元；二是公司加大研发投入，与去年相比增长约94.31%；三是去年公司出售了持有的部分拓荆科技股份有限公司股票，产生税后净收益约4.06亿元，而2024年并无该项股权处置收益。

中微公司2024年核心技术及研发进展

中微公司主要业务是半导体设备，其中，等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65至5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线；MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，成为世界排名前列的氮化镓基 LED 设备制造商；新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，目前已有多款新型设备产品进入市场并获得重复性订单。

在刻蚀设备技术方面，中微公司目前针对逻辑和存储芯片制造中最关键刻蚀工艺的设备已经在客户的产线上展开验证。在逻辑芯片制造领域，12英寸高端刻蚀设备已经在从65至5纳米及更先进技术节点大量量产，而5纳米及更先 进技术节点的刻蚀设备则进行了多项性能改进，并已经在生产线上实施；在存储芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产。此外，配备超低频偏压射频的用于超高深宽比掩膜刻蚀的ICP刻蚀机目前在生产线上验证顺利，工艺能力可以满足国内最先进的存储芯片制造的需求。配备超低频高功率偏压射频的用于超高深宽比介质刻蚀的CCP刻蚀设备也进入到大规模生产阶段。

在MOCVD设备技术方面，中微公司用于蓝光LED的PRISMO D-Blue、PRISMO A7两款MOCVD设备能分别实现单腔 14片4英寸和单腔34片4英寸外延片加工能力；用于制造深紫外光LED的高温MOCVD设备 PRISMO HiT3，其反应腔最高工艺温度可达1400度，单炉可生长18片2英寸外延晶片，并可延伸到生长4英寸晶片；用于Mini-LED生产的MOCVD设备PRISMO UniMax，在同一系统中可配备多达4个反应腔，每个反应腔都可实现独立控制，目前已经开始进行规模化生产；用于硅基氮化镓功率器件用MOCVD设备PRISMO PD5已在客户生产线上验证通过并获得重复订单；用于碳化硅功率器件外延生产的设备正在开发中，即将开展样机在客户端的验证测试；制造Micro-LED应用的新型MOCVD设备也正在按计划顺利开发中。

在薄膜沉积设备技术方面，中微公司已经实现六种薄膜沉积设备的高效研发与交付。其中，完全自主设计开发的双台机钨系列设备，在保证较低的化学品消耗的同时，具有优秀的阶梯覆盖率和填充能力，能够满足先进存储器件关键字线应用、接触孔填充应用及其他多个关键应用，同时也可满足先进逻辑应用中钨接触孔应用需求，中微独创的接触孔填充方案能够在60比1深宽比的深孔结构中获得国际领先的填充效果。此外，中微开发的金属钨系列在生产稳定性上也表现出了 突出性能，其中原子层沉积金属钨产品晶圆间薄膜均一性达到了小于 1%的水平。新推出的自主开发的金属栅系列产品，继承中微独特的双反应台设计，通过中微专利的多级匀气混气设计，基 于模型算法的加热系统设计和可实现高效原子层沉积反应的反应腔流导设计等，可满足先进逻辑关键金属栅应用需求。

值得注意的是，报告称中微公司开发的五类设备均达到国际先进水平，分别是CCP电容性刻蚀机、ICP电感性刻蚀机、薄膜沉积设备、深硅刻蚀机和MOCVD。

其中，CCP电容性刻蚀机有3个双台反应器和6个单台反应器系统，进入2D和3D存储器生产线，超高深宽比工艺实现量产，300+反应台进入国际5纳米及以下生产线，4000+反应台在线生产。

ICP电感性刻蚀机有6个单台反应器和 3个双台反应器系统，覆盖 95%以上ICP刻蚀应用，Nanova 单台机订单年增长超过100%，迅速扩大市场占有率，1000+反应台在线生产。

薄膜沉积设备有高输出的双反应台系统，设备性能达到国际领先水平，钨系列产品已全部通过关键存储客户端量产验证，取得批量订单，金属栅系列产品在先进逻辑客户量产验证顺利推进，同步推进多款金属薄膜气相设备开发，增加薄膜设备覆盖度。

深硅刻蚀机有高输出的双反应台系统，开发2.5D和3D芯片加工设备，进入欧洲MEMS生产线量产，在国内TSV/MEMS成为主连设备。

MOCVD有4个独立操作的反应器系统，持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位，PRISMO UniMax在 Mini-LED 显示外延片生产设备领域处于国际领先，开发更多化合物半导体外延设备，500+反应台在线生产。