台积电表示企业计划在 2027 年量产 9.5 倍光罩尺寸的 CoWoS,从而能够以台积电先进逻辑技术将 12 个或更多的 HBM 堆叠整合到一个封装中,这意味着单封装可容纳的芯片面积将相较此前进一步提升。
而在更大的晶圆尺寸封装系统方面,台积电则带来了 SoW 系统级晶圆技术的新版本 SoW-X。该技术采用不同于 SoW-P 的 Chip-Last 流程,计划于 2027 年量产。
台积电还介绍了其它一系列高性能集成解决方案,包括用于 HBM4 的 N12 和 N3 制程逻辑基础裸晶(Base Die)、运用 COUPE 紧凑型通用光子引擎技术的 SiPh 硅光子整合。
此外台积电也公布了用于 AI 的新型集成型电压调节器 / 稳压器 IVR。与电路板上的独立电源管理芯片 PMIC 相比,IVR 具备 5 倍的垂直功率密度传输。
本文转自媒体报道或网络平台,系作者个人立场或观点。我方转载仅为分享,不代表我方赞成或认同。若来源标注错误或侵犯了您的合法权益,请及时联系客服,我们作为中立的平台服务者将及时更正、删除或依法处理。