台积电推出1.4nm技术，将于2028年量产

台积电 (TSMC) 发布了其 A14（1.4 纳米级）制造技术，并承诺该技术将在性能、功耗和晶体管密度方面显著优于其 N2（2 纳米）工艺。在周三举行的 2025 北美技术研讨会上，台积电透露，新节点将采用其第二代环栅 (GAA) 纳米片晶体管，并将通过 NanoFlex Pro 技术提供更大的灵活性。台积电预计A14 将于 2028 年投入量产，但不支持背面供电。支持背面供电的 A14 版本计划于 2029 年推出。

台积电业务发展与全球销售高级副总裁兼副首席运营官张凯文表示：“A14 是我们全节点的下一代先进硅技术。” “如果从速度来看，与 N2 相比，其速度提高了 15%，功耗降低了 30%，逻辑密度是整体芯片密度的 1.23 倍，或者至少是混合设计的 1.2 倍。所以，这是一项非常非常重要的技术。”

台积电的 A14 是一种全新的制程技术，基于该公司的第二代 GAAFET 纳米片晶体管和新的标准单元架构，以实现性能、功耗和微缩优势。台积电预计，与 N2 相比，A14 将在相同的功耗和复杂度下实现 10% 至 15% 的性能提升，在相同的频率和晶体管数量下降低 25% 至 30% 的功耗，并在混合芯片设计和逻辑电路中提高 20% 至 23% 的晶体管密度。由于 A14 是一个全新的节点，因此与 N2P（利用 N2 IP）以及A16（采用背面供电的 N2P）相比，它将需要新的 IP、优化和 EDA 软件。

台积电新工艺技术的PPA改进宣传

与 A16（以及 N2 和 N2P）不同，A14 缺乏超级电源轨 (SPR) 背面供电网络 (BSPDN)，这使得该技术能够瞄准那些无法从 BSPDN 获得实际优势的应用——但这需要额外成本。许多客户端、边缘和专业应用可以利用台积电第二代 GAA 纳米片晶体管带来的额外性能、更低功耗和晶体管密度，但这些应用不需要密集的电源布线，传统的正面供电网络即可满足需求。

张表示：“这项技术还采用了我们的NanoFlex Pro技术，这实际上是一种设计技术协同优化（DTCO）技术，允许设计人员以非常灵活的方式设计产品，从而实现最佳的功率性能优势。这项技术将于2028年投入生产。该技术的第一个版本没有背面供电轨。”

当然，台积电了解开发高性能客户端和数据中心应用的客户的需求，因此计划在2029年推出支持SPR背面供电的A14。目前，该公司尚未透露该制程技术的具体名称，但可以合理地预期它将被称为A14P，遵循台积电的传统命名法。展望未来，预计 A14 将在 2029 年之后推出其最高性能版本 (A14X) 和成本优化版本 (A14C)。

台积电 A14 系列工艺技术的关键优势之一是该公司的 NanoFlex Pro 架构，该架构将使芯片设计人员能够微调晶体管配置，以实现针对特定应用或工作负载的最佳功率、性能和面积 (PPA)。使用非 Pro FinFlex，开发人员可以在一个模块内混合搭配来自不同库（高性能、低功耗、面积高效）的单元，以优化性能、功率和面积。台积电尚未披露NanoFlex与 NanoFlex Pro 之间的明确技术细节，因此我们只能猜测新版本是否允许对单元（甚至晶体管）进行更精细的控制，或者它是否会提供更好的算法和软件增强功能，以便更快地探索和优化晶体管级的权衡。

台积电计划在 2028 年投产基于 A14 制程技术的芯片，但并未透露是否会在今年上半年或下半年开始量产。考虑到 A16 和 N2P 将于 2026 年下半年（即 2026 年底）开始大规模生产，而芯片将于 2026 年上市，推测 A14 的目标生产时间是 2028 年上半年——有望满足下半年推出的客户应用需求。

除了A14之外，台积电还首次推出了新的逻辑、特殊工艺、先进封装和3D芯片堆叠技术，这些技术为高性能计算（HPC）、智能手机、汽车和物联网（IoT）等广泛的技术平台做出了贡献。这些产品旨在为客户提供一整套互联技术，以推动其产品创新。它们包括：

高性能计算

台积电持续推进其晶圆上芯片基板 (CoWoS®) 技术，以满足人工智能对更多逻辑和高带宽内存 (HBM) 的持续需求。公司计划于 2027 年实现9.5 英寸光罩尺寸 CoWoS 的量产，将 12 个或更多 HBM 堆栈与台积电领先的逻辑技术集成在一个封装中。继 2024 年展示其革命性的晶圆上系统 (TSMC-SoW™) 技术后，台积电又推出了基于CoWoS 的产品SoW-X，旨在创建一个晶圆大小的系统，其计算能力是现有 CoWoS 解决方案的 40 倍。量产计划于 2027 年实现。

台积电提供一系列解决方案，以增强其逻辑技术的强大计算能力和效率。这些解决方案包括与台积电紧凑型通用光子引擎 (COUPE™) 的硅光子集成、用于 HBM4 的 N12 和 N3 逻辑基片，以及用于人工智能的全新集成电压调节器 (IVR)，与电路板上单独的电源管理芯片相比，其垂直功率密度提高了 5 倍。

手机

正利用其最新一代射频技术N4C RF ，支持边缘设备上的人工智能 (AI) 及其对高速、低延迟无线连接的需求，以传输海量数据。与 N6RF+ 相比， N4C RF 的功耗和面积减少了 30%，非常适合将更多数字内容封装到射频片上系统 (RF) 设计中，以满足 WiFi8 和 AI 功能丰富的真无线立体声等新兴标准的要求。该技术计划于 2026 年第一季度投入风险生产。

汽车

高级驾驶辅助系统 (ADAS) 和自动驾驶汽车 (AV) 对计算能力提出了严苛的要求，同时又不牺牲汽车级的质量和可靠性。台积电正以最先进的N3A工艺满足客户需求，该工艺已通过 AEC-Q100 一级认证的最终阶段，并持续改进缺陷，以满足汽车百万分率 (DPPM) 的要求。N3A 工艺已开始应用于汽车生产，为未来软件定义汽车注入了全套技术。

物联网

随着日常电子产品和家用电器纷纷采用人工智能功能，物联网应用正在承担更繁重的计算任务，同时电池续航能力却依然捉襟见肘。台积电此前宣布的超低功耗 N6e 工艺现已投入生产，该公司正瞄准N4e 工艺，继续突破未来边缘人工智能的能效极限。