抛弃x86、Arm，俄罗斯坚持28nm芯片国产

据报道，尽管面临着重重困难，但俄罗斯仍决定按照原计划在2030年前实现28nm芯片的本土化量产。

目前，俄罗斯莫斯科中央科学技术研究制造企业（MCST）已经制造出符合企业期望的CPU，即基于SPARC架构的Elbrus处理器。不过，也有人提出，在Elbrus处理器能够切实投入使用之前，其生态系统必须先得到发展。

MCST 负责发展事务的副主任康斯坦丁・特鲁什金此前在莫斯科的一场活动中表示：“我们希望在2028年至2030年间能出现芯片制造工厂。但我们明白，我们无法制造基于英特尔x86指令集架构的处理器，因为没人会授予我们这样做的权利。因此，像Elbrus这样采用不同指令集架构的处理器，将会成为俄罗斯芯片制造厂的主要产品。”

特鲁什金强调，依赖外国CPU会对俄罗斯的国家信息安全构成不可接受的风险，因此俄罗斯必须依靠国产硬件（即不使用Arm，不使用x86）。

然而，来自InfoTeKS公司的Dmitry Gusev对Elbrus的可行性提出了质疑，他表示几年前曾尝试将Elbrus处理器集成到公司系统中，但由于缺乏能够为该指令集调整软件的人员，该计划最终被放弃。他建议，在将Elbrus处理器用于更重要的领域之前，应先通过教育和机构投资来构建一个围绕Elbrus的支持性生态系统。政府不应通过监管压力来强制推广使用，而应鼓励大学和培训中心培养相关人才，这样在五到八年后，企业就不再需要为争夺有限的合格专业人才而竞争了。

俄罗斯开发出350nm光刻机

2025年3月，俄罗斯莫斯科市长谢尔盖·索比亚宁在社交媒体上高调宣布，泽列诺格勒纳米技术中心（ZNTC）成功研发出俄罗斯首台350nm光刻机，代号为“曙光”，并即将进入批量生产阶段。

据知情人士透露，“曙光”光刻机采用固态激光光源替代传统汞灯，其22mm×22mm的曝光场域可覆盖200毫米晶圆，核心能耗较同类设备降低30%。虽然该设备对标ASML二十年前的PAS 5500系列，但俄罗斯工程师创造性引入军用激光技术储备，在光源稳定性与设备寿命上实现突破。值得一提的是，其精密光学组件是由白俄罗斯Planar公司提供。

“曙光”光刻机首批订单直指国防工业。某军工联合体流出的文件显示，其将用于生产S-500防空系统芯片，替代此前依赖台积电的180nm产品。民用领域，俄家电巨头戈雷内奇宣布年底推出搭载本土芯片的智能冰箱，试图复制中国“洗衣机芯片”的逆袭路径。

面对“技术过时”的质疑，俄罗斯工贸部回应：国内60%的工业芯片需求集中于350nm以上制程，涵盖军工、能源装备等战略领域。此外有消息称，伊朗、印度等新兴市场已对俄制光刻机表现出采购意向，这种“高性价比替代方案”正在撬动中低端芯片市场格局。

在泽列诺格勒的蓝图中，“曙光”只是长征第一步。俄科学院同步推进的X射线光刻项目，计划以11.2nm波长直写技术绕开ASML的13.5nm EUV专利墙，预计2028年冲击7nm制程。

俄罗斯25.4亿美元的半导体支持计划

2024年，俄罗斯启动25.4亿美元计划以支持国产半导体制造所需设备、CAD工具及原材料研发，目标是到2030年实现对于国外约70%的半导体设备和材料的替代。

作为该计划的一部分，俄罗斯计划开辟20条不同技术路线的国产设备，包括从180nm到28nm的微电子学、微波电子学、光子学、电力电子学、光掩模生产、电子元件和模块的组装、无源电子学的生产等。

在预算分配方面，25.4亿美元的资金支出将分布在各种国家计划当中，包括“电子和无线电电子工业的发展”计划和“俄罗斯的科学和技术发展”计划。其中，2023-2025年将有超过1000亿卢布的“俄罗斯科学技术发展”得到补贴，这笔钱将用于开发微电子、微波、电力和光电子生产设备以及各种专用材料的研发工作。2023-2030年，俄罗斯CAD系统开发路线图的研发（R&D）投入将达到546亿卢布。

俄罗斯计划在2026年底实现利用国产设备来生长单晶、切割硅晶圆、研磨和抛光、洗涤和干燥、应用元素并控制输出产品（X 射线衍射仪、缺陷控制）。同时，在2026年底完成用于350nm和130nm工艺技术的光刻设备和用于150nm生产节点的电子束光刻设备的开发，并能够掌握外延法工艺。

更远期的目标是，到2030年，俄罗斯能够自主生产65nm或90nm制程的国产光刻系统。值得一提的是，该目标将明显提高俄罗斯生产微电子产品的能力，但仍将落后于目前全球行业领先水平25至28年。