锂电保护用 CSP MOSFET
纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品，采用自有专利芯片结构设计，综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺，拥有超低导通阻抗及高ESD (>2kV) 保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求，同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题，为客户提供更安全、更可靠的产品，简化客户的设计。
纳芯微电子
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规格参数
产品信息
类型
CSP封装MOSFET
产品特性
先进的CSP封装产品,体积小、散热性能好、电性连接寄生参数小
独有专利的芯片结构设计,综合性能远超传统Trench VDMOS
优异的短路过流能力与雪崩过压能力,更强的机械压力耐受能力
12V系列产品内阻1.8mΩ- 10mΩ,满足常见单节电池充电管理需求
严格的品质管理流程,从设计研发到生产检测全流程品质数据稽核
应用场景
便携式锂电池设备
智能手机
平板电脑
VR/AR
智能穿戴
移动电源等
产品详情
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