1998 年，美国国防部高级研究项目局（DARPA）出资赞助胡正明教授在加州大学带领一个研究小组研究 CMOS 工艺技术如何拓展到 25nm 领域。胡正明教授在三维结构的 MOS 晶体管与双栅 MOSFET 结构的基础上进一步提出了自对准的双栅 MOSFET 结构，因为该晶体管的形状类似鱼鳍，所以称为 FinFET 晶体管（鳍式场效应晶体管）。同年，胡正明教授及其团队成员成功制造出第一个 n 型 FinFET，它的栅极长度只有 17nm，沟道宽度 20nm，鳍（Fin）的高度 50nm。1999 年，胡正明教授及其团队成员成功制造出第一个 p 型 FinFET，它的栅极长度只有 18nm，沟道宽度 15nm，鳍的高度 50nm。FinFET 自此诞生。

从结构来看，平面 MOSFET 只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，但是在 FinFET 架构中，闸门被设计成类似鱼鳍的叉状 3D 架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种叉状 3D 架构不仅能改善电路控制和减少漏电流，同时让晶体管的闸长大幅度缩减。

英特尔在 FinFET 工艺上率先出手，在 2011 年推出商业化的 FinFET 工艺技术，之后台积电也迅速跟进，在 16nm 节点中使用了 FinFET。从 16/14nm 开始，FinFET 成为半导体器件的主流选择。三星则是在 2015 年的 14nm 才开始使用。