‌三极管加在MOS管前端电路应用主要用于控制电源的开关操作，以及提供特定的电路保护功能。‌

在电源开关电路中，三极管和MOS管的组合是一种常见的配置。这种组合不仅限于NPN与PMOS管的组合，实际上，PNP与NMOS管的组合也在一些特殊应用中使用。这种组合的应用基于三极管和MOS管各自的优势：

图1 三极管的NPN和PNP电路符号

‌一、NPN三极管与PMOS管的组合‌

在这种组合中，NPN三极管用于控制基极电流，而PMOS管用于控制高电压或高功率负载。这种组合适用于需要较高电压和功率的应用，其中NPN三极管提供稳定的低电压和低功率控制信号，而PMOS管作为功率开关元件，适用于高压电源开关电路。这种组合能够在较低的功率下完成电源开关操作，降低功耗‌。

二、PNP三极管与NMOS管的组合‌

这种组合适用于需要负电压供电的应用，如负电源电路和功率逆变器。PNP三极管用于负电压供电，而NMOS管用于控制信号。这种组合能够在低电压条件下实现开关操作，适用于低电压电源开关电路。此外，NMOS管的快速开关速度使其适用于高频率应用‌。

此外，三极管加在MOS管前端电路的应用还包括电路保护功能。例如，在MOS管开关电路设计中，使用三极管可以防止由于MOS管寄生二极管、滤波电容过大或后端电压电流串扰而导致的前端烧坏问题。通过在后端串联二极管或另一个MOS管来改善这个问题，可以有效保护电路免受损坏‌。

图2 NMOS和PMOS的电路符号

综上所述，三极管加在MOS管前端电路的应用不仅提高了电路的控制能力和保护功能，还适应了不同的应用需求，如高压大电流控制、低电压快速开关等场景。

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三、NPN+PMOS组合电路应用案例分析

一种典型的三极管和MOS管结合的开关控制电路，关于三极管和MOS管的基础使用方法。MCU控制三极管，然后再控制MOS管，如下图所示：

电路解析：

为什么要这样做呢？

这个和三极管和MOS的特性有很大关系：三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化；MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。

三极管的基极驱动电压只要高于Ube的死区电压即可控制三极管导通，硅材料三极管的死区电压一般为0.6V，锗材料三极管的死区电压一般为0.3V，所以控制三极管的电压对于硅材料的三极管来说只要高于0.6V左右即可，而对于锗材料的三极管来说只要高于0.3V左右即可。所以MCU先连接控制三极管；
而MOS管就不一样了，MOS管是电压型驱动，其驱动电压必须高于其死区电压Ugs的最小值才能导通，不同型号的MOS管其导通的Ugs最小值是不同的，一般为3V~5V左右，最小的也要2.5V，但这也只是刚刚导通，其电流很小，还处于放大区的起始阶段，一般MOS管达到饱和时的驱动电压需6V~10V左右。

一般MCU IO输出电压为3.3V，很可能无法打开MOS管，所以MCU不直接连接控制MOS管。而且三极管带负载的能力没有MOS管强，所以MCU控制三极管，然后再控制MOS管来控制负载设备。