三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电，因此三极管又称为：双极型晶体管（BJT）。三极管是一种具有电流放大作用的半导体器件，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化。

三极管按照结构可以分为：NPN型三极管、PNP型三极管。

按照功能可以分为：开关三极管、功率管、达林顿管、光敏管等。

按照功率可以分为：小功率管、中功率管、大功率管。

在同一个硅片上，根据不同的掺杂方式制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了三极管。

以NPN型三极管为例，位于中间位置的是基区b，基区很薄（几微米）且掺杂浓度很低。位于上面N区的是发射极e，发射区的掺杂浓度很高。位于下面的N区是集电极c。

为什么基区b掺杂浓度低且很薄？发射区e掺杂浓度最高？当发射结be接正向电压时，发射区的多数载流子——自由电子，向基区移动，形成了发射极电流Ie。又因为集电结bc反偏，因此从发射区移动到基区的自由电子（90%以上）又在bc结反向电压的作用下移动到了集电区c，形成了集电极电流Ic。只有少部分自由电子（10%以内）在基区与空穴复合，被复合掉的空穴由基极电源重新补给，从而形成了基极电流Ib。

总的过程可以用下图表示，形成电流的自由电子基本全部来自于发射区。其中，来自发射区自由电子的90%穿过基区，到达了集电区，形成了集电极电流Ic。少部分自由电子在基区与空穴复合，形成了基极电流Ib。

发射区e掺杂浓度很高，因此多数载流子（自由电子）的浓度就高，可以提高发射区注入载流子的效率。基区做的很薄，可以提高发射区自由电子穿越基区达到集电区的速度。总之，都是为了提高三极管的放大性能。

三极管的输入特性曲线是：基极电流Ib与电压Ube的关系，从图中可以看到，除了Uce=0V时比较特殊外，其余线基本重合。可以理解为不管电压Uce为多少，基极电流Ib只与电压Ube有关，电压Ube小于0.6V时，三极管处于截止区，基极电流Ib=0。当电压Ube增大到0.6V左右时，基极电流突然开始增大，且电流Ib随着电压Ube指数级增长。

饱和区：当集电极和发射极之间的电压Uce小于0.4V时，三极管处于饱和区。此时，三极管发射极和集电极均正向偏置。

截止区：Ib=0时即为截止区，对应于前面的输入特性曲线Ube小于0.6V的情况,此时三极管处于关断状态。

放大区：上在放大区，集电极电流Ic基本不随电压Uce的改变而变化。不同的基极电流对应着不同的集电极电流Ic，且有关系：Ic=βIb。放大区时，三极管发射结正偏，集电结反偏