台积电2nm“被跑单”，英伟达、高通欲转投三星

据报道，由于台积电2nm价格过高，加上目前产能有限，英伟达、高通则已经开始考虑采用三星生产的2nm芯片。

目前，台积电已在新竹宝山工厂开始了2nm工艺的试产工作，初期良率是60%，这意味着有将近40%的晶圆无法使用，每片晶圆的代工报价可能高达3万美元，而此前3nm晶圆的价格大约在1.85万至2万美元之间。如此高昂的价格，让英伟达和高通都犹豫了，据悉目前高通正在使用三星电子的2nm工艺做测试，但尚未最终敲定是否会将订单交给三星代工。

据悉，台积电N2工艺将于2025年进入风险生产，并于2025年下半年进入大批量生产；性能增强型N2P和电压增强型N2X将于2026年问世。

台积电第一座2nm工艺工厂位于新竹县宝山附近，毗邻其专门为开发N2技术及其后续技术而建的R1研发中心，预计将于2025年下半年开始大批量生产（HVM）2nm芯片，初期产能计划为每月3000至3500片，预估到2026年底月产能将达6~6.5万片。第二座能够生产N2芯片的制造厂将位于高雄科学园区，该园区是高雄附近南台湾科学园区的一部分，HVM启动时间预计稍晚一些，2025年底月产能可能会达2.5万至3万片，2026年底或2027年初同样提升至 6 万至 6.5 万片。两者相加，台积电2nm总月产能预估将在2025年底突破5万片，2026年底将达每月12-13万片。

此外，台积电正在努力扩能，在台中科学园区建造另一座具有N2能力的工厂。

2nm，三星电子会是个好选择吗？

三星电子2nm工艺仍然采用了GAAFET晶体管技术，并进一步优化了MBCFET架构。与其它厂商相比，三星电子2nm工艺的竞争优势也正是在此，在3nm GAA MBCFET技术的最新进展，将为他们的2nm提供参考。此前，三星电子表示将于2025 年开始量产用于移动应用的2nm工艺，然后在2026年扩展到高性能计算，并在2027年扩展到汽车领域。与 3nm工艺相比，2nm工艺性能提升12%，功率效率提升 25%，面积减少 5%。

放弃台积电，在2nm转投三星电子会是个好选择吗？这个问题现在还无法回答，毕竟三星电子在3nm领域折戟了，此前有媒体报道，三星电子第一、二代3nm工艺良率很低。三星电子内部设定的量产良品率最低标准为70％，而第一代3GAE的良品率仅能达到50-60％，因此还无法进行大规模量产。而第二代3GAP的情况更为糟糕，其良品率仅为20％，意味着每生产5颗芯片中，只有1颗是完好的。

除了良率问题，三星电子还要考虑性能功耗的问题。毕竟，此前三星电子曾出现过代工翻车的事情。当时由于三星电子的5nm工艺结合Arm的X1超大核心功耗过高，导致高通骁龙888芯片出现了过热问题。因此从骁龙8+ Gen1开始，高通骁龙8系平台转投台积电。

目前三星电子2nm芯片收获了一些订单，2024年7月，三星电子确认首份2nm芯片订单，将使用2nm代工工艺和先进的芯片封装服务来为日本人工智能公司PFN制造人工智能芯片；9月，有消息称三星电子又收获了一份2nm订单，将为美国企业Ambarella生产ADAS芯片，相关产品预计于2025年流片，计划2026年量产。

但值得关注的是，三星电子2nm目前还没有收获类似英伟达、高通这样的顶级客户。

在量产进度方面，目前三星电子正在加快推动2nm生产设施的建设，已经在韩国华城的“S3”工厂进行设备的安装，着力搭建2nm生产线。并且，设定了雄心勃勃的目标，计划到2025年第一季度实现每月生产7000片晶圆的规模。到了2025年底，三星计划将“S3”工厂的剩余3nm生产线转为2nm生产线，以进一步扩大产能。

除此之外，三星电子获得了美国47.45亿美元芯片补贴，将在德克萨斯州泰勒市投资370亿美元建设两座先进制程工厂，专注量产2nm制程技术。

“双代工”模式会成为主流吗？

2023年，高通就在考虑双代工厂策略，原本计划在2024年就执行，但是由于三星3nm产能扩张计划趋于保守，加上良品率并不稳定，最终让该计划延后执行。

这一策略反映出半导体公司在产业链中的深层思考，单一制造商的依赖，虽能获得短期的低成本与稳定供货，但数字经济日益复杂的环境下，这种模式极易导致企业在芯片供给不足时陷入困境。

在追求降本增效的同时，也需要关注技术创新和供应链安全。从长远来看，加强供应链的韧性与多元化，无疑是保证企业竞争力的重要手段。科技企业可以借此推动技术合作，降低风险与成本，通过与不同的技术供应商合作，寻求更安全的资源保障。