三星HBM3E认证遇阻，谷歌AI芯片改用美光

据报道，三星电子在HBM领域遭遇技术验证瓶颈，因未通过英伟达认证被移出台积电CoWoS封装产线。为保险起见，原计划配套三星HBM3E的谷歌自研AI服务器芯片也将改用美光产品替代。

对此，三星回应称 "无法评论客户相关事宜，相关开发计划仍按进度执行"。目前谷歌方面仍未发表回应。

供应链消息人士称，三星HBM3E原定2025年Q1向英伟达批量出货，但英伟达至今仍未公布最终认证结果。而谷歌此时更换供应商的举动，已被视为三星HBM3E认证不顺的重要信号。 此前有报道称，联发科将打入谷歌下一代AI供应链，双方将合作开发新一代张量处理单元（TPU）。不仅如此，联发科还将承接部分原由博通供应的TPU订单，其芯片采用台积电3nm制程，并送交CoWoS产线进行封装。随着谷歌近日通知联发科更换HBM供应商，搭载三星HBM的相关产品已被从台积电产线撤下。供应链陆续收到风声，显示三星HBM3E的认证与出货恐将持续停滞。

“忙着捡漏”的美光和一路狂奔的SK海力士

2025年3月，美光已成功通过12层HBM3E验证，并迅速开始交付，以支持英伟达最新的B300产品。美光表示，其HBM3E与竞品相比功耗可降低30%，且美光12层堆叠HBM3E（HBM3E 12H）比竞争对手的8层堆叠产品的功耗降低了20%，同时内存容量提高了50%。

今年1月，美光在新加坡的HBM先进封测工厂破土动工，这项投资将使美光自2027日历年开始显著提升总先进封装产能。与此同时，其在爱达荷州新建的DRAM工厂在本季度完成了关键里程碑节点，成功获得CHIPS法案对该项目的首笔资金拨付。这座全新的爱达荷州工厂预计将于2027财年开始贡献可观的DRAM产量。

HBM市场需求强劲，美光预计2025年HBM总市场规模将达350亿美元以上，比之前预估的300亿美元有所提高，并预计2025年第四季度有望HBM份额达到与整体DRAM供应份额相当的水平。美光表示，2025年HBM已售罄，而2026年HBM市场需求将保持强劲态势，目前正在与客户就2026年HBM需求协议进行讨论。

目前美光已开始批量生产HBM3E 12H，并专注于提高产能和良率，预计2025年下半年，HBM3E 12H将占HBM总出货量的绝大部分。

据传，美光有望承接三星认证不顺留下的HBM3E订单。

再看SK海力士，在12层HBM3E领域的进展最快，2024年9月全球率先量产12层HBM3E，单模块容量达36GB，运行速度9.6Gbps，是当前市场上容量最大、速度最快的HBM产品。该产品采用1β DRAM制程，通过将DRAM芯片厚度减少 40% 并结合硅通孔（TSV）技术实现12层垂直堆叠，在保持与8层产品相同厚度的同时，容量提升 50%。

在产能方面，SK海力士韩国利川M10F工厂在2025年3月完成产线改造，专注于HBM封装，新增月产能1万片晶圆，总产能达13万片/月。忠州M15X工厂预计2025年底产能提升至16-17万片/月。美国印第安纳州工厂获得美国商务部4.5亿美元补助金，建设先进封装产线，预计2026年投产，初期月产能2万片晶圆。

Counterpoint Research报告称，SK海力士在HBM芯片市场的主导地位，已经帮助该公司在整个DRAM市场上首次超过三星，占据了36%的全球市场份额，而三星的市场份额为34%。从营收份额数据看，SK海力士第一季度已经占据了HBM市场的70%。

SK海力士预计第二季度其12层HBM3E产品的销售额将增加，占HBM3E总销售额的一半以上。

三星面临的挑战不只是HBM3E认证

三星面临的挑战不仅包括HBM3E认证瓶颈，还在于美国限制英伟达H20芯片出口中国。美国商务部进一步限制英伟达的H20芯片出口至中国，需获得特别许可，而三星正是H20所搭配的主要HBM3供应商，市场占有率估计高达九成。

尽管中国AI供应链早已预期H20出货将受限，许多厂商提前大量备货，例如阿里巴巴、腾讯和字节跳动已向英伟达的H20 GPU下达了数十亿美元的订单，三星因此在急单潮中成为短期受益者之一。 然而，美国的管制措施来得比预期更快，英伟达已在第一季度计入55亿美元相关损失，而三星恐怕会被政策首波冲击到。

随着H20出口受限，中国AI芯片进入到加速期，业界指出，华为的昇腾910B与最新的910C分别搭载了4颗与8颗HBM2E，这些芯片主要是在限制生效前向三星采购。此外，中国的GPU厂商多数仍采用HBM2与HBM2E进行设计。而国内厂商正全力投入HBM研发，预计会分担此前三星的市场份额。

这也意味着，三星不仅在高端HBM市场面临竞争力流失，连老版HBM2与HBM3的市场地位也将受到挑战。